Elektronik

Forschungserfolg bei Siliziumkarbid

AIST entwickelt monolithisch integriertes SiC-Leistungs-IC

Leistungs-MOSFETs haben eine vertikale Struktur, Treiberschaltungen jedoch eine laterale. Daher war es bisher nicht üblich, beides monolithisch zu integrieren. Allerdings könnte dies Hochleistungswandler mit Siliziumkarbid noch besser machen.…

IO-Link

Anwender-Workshop in Friedrichshafen

Am 24. Mai will die Profibus Nuterorganisation Anwender über IO-Link informieren. Nach…

KI auf Nvidia-Basis

OpenShift 4.10 von Red Hat mit neuen Funktionen

Red Hat stattet die neue Version 4.10 von OpenShift mit neuen Funktionen für…

Neues Echtzeitbetriebssystem embOS-Ultra

RTOS – Energiesparen ohne System-Tick

Fast 40 Jahre nach der Vorstellung des ersten RTOS für Embedded-Systeme stellt Segger…

IoT-Software pflegen

Einfach, flexibel und sicher mit LIUF

Für die Wartung Linux-basierter industrieller IoT-Systeme hat Mixed Mode das Linux Update…

Energy Harvesting eingebaut

Evaluation Kit RE01 im Praxistest

Mit dem RE01 hat Renesas einen äußerst interessanten Mikrocontroller nebst passendem…

APEC 2022/onsemi

Totem-Pole-PFC-Controller für den Kilowattbereich

Mit dem NCP1681 hat onsemi seine Mixed-Signal-Controller für die brückenlose…

APEC 2022/Eggtronic

PFC und Resonanzwandler in einer Stufe

Üblicherweise haben leistungsstarke Netzteile bis 1 kW eine zweistufige Architektur aus…

IDE Embedded Studio für RISC-V

Neue Version 6 für harte C++-Echtzeitanforderungen

Die Entwicklungsumgebung Embedded Studio für RISC-V von Segger Microcontroller bietet in…

Lithium-Ionen-Batterien

Festkörperbatterie von Sakuu erreicht 800 Wh/l

Bei ihrer nicht-gedruckten Lithium-Metall-Batterie der ersten Generation hat Sakuu eine…