20-V-, 25-V- und 30-V-MOSFETs
Geringste Durchschaltwiderstandswerte
International Rectifier brachte mit dem IRFH6200TRPbF einen HEXFET-Leistungs-MOSFET auf den Markt, der mit einem RDS(on)-Wert von 1,2 mOhm (max.) bei 4,5 V Gate-Source-Spannung ausgewiesen ist.