Neues Halbleiterwerk in Dresden Bosch lädt zur Baustellenbesichtigung

Blick auf das Bürogebäude (rechts) und die eigentliche Halbleiterfabrik (links). Eine Brücke verbindet beide Gebäude auf zwei Etagen – oben der Zugang zum Reinraum (ISO 5) und darunter der Zugang zu den Versorgungsinstallationen.
Blick auf das Bürogebäude (rechts) und die eigentliche Halbleiterfabrik (links). Eine Brücke verbindet beide Gebäude auf zwei Etagen – oben der Zugang zum Reinraum (ISO 5) und darunter der Zugang zu den Versorgungsinstallationen.

Seit der Grundsteinlegung im Juni 2018 laufen die Bauarbeiten an der neuen 300-mm-Halbleiterproduktion von Bosch. Jetzt lud Bosch die Presse zu einer Besichtigung nach Dresden ein und kündigte dabei die Produktion von SiC-Leistungs-MOSFETs in Reutlingen an.

Am 7. Oktober 2019 führte Bosch Vertreter der Presse durch die Baustelle seiner neuen Halbleiterfabrik in Dresden. Der im Februar 2018 begonnene Bau macht, nach Aussage von Bosch, Fortschritte nach Plan. Im Juni 2019 wurde mit der Innenausstattung begonnen, um den Reinraum zu bauen und die Versorgung der späteren Fertigungsmaschinen zu installieren.

Der rund 1 Mrd. Euro teure Neubau, die größte Einzelinvestition in der Geschichte von Bosch, solle Ende 2021 bereits Pilotserien produzieren. Im Januar 2020 soll der Bau soweit fortgeschritten sein, dass die ersten Produktionsanlagen installiert werden können. Im gleichen Jahr will Bosch bereits erste Muster-Chips fertigen.

 

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Baustelle Bosch Halbleiterfabrik in Dresden

Eindrücke vom Neubau für die 300-mm-Halbleiterfertigung von Bosch.

 

Bis zu 700 Mitarbeiter werden künftig in der neuen Halbleiterfabrik ASICs entwickeln und auf 300-mm-Wafern herstellen, z.B. für Airbags, ESP-Systeme und Motorsteuerungen. Bosch setzt hier auf eine Strukturgröße von 90 nm. Ende 2019 werden die ersten Mitarbeiter in die neuen Büros neben der Halbleiterfertigung einziehen. Für das neue Werk in Dresden hat Bosch bereits 200 Mitarbeiter akquiriert, für den Start soll ihre Zahl auf 350 steigen. Die maximale Mitarbeiterzahl von 700 wird benötigt, wenn die neue Halbleiterfabrik voll ausgelastet ist.

Leistungs-MOSFETs aus Siliziumcarbid

Durch die Verlagerung der ASIC-Produktion ins neue Halbleiterwerk nach Dresden (300 mm) – neue ASICs werden für 300-mm-Wafer entwickelt und in Dresden gefertigt, die bereits in Produktion befindlichen ASICs für 200-mm-Wafer werden weiterhin in Reutlingen (200 mm) gefertigt –, will Bosch nicht nur einen Kapazitätsengpass beseitigen. Die künftig freiwerdende Produktionskapazität in Reutlingen soll für die Herstellung von SiC-MOSFETs genutzt werden. Für die erste SiC-Pilotlinie investiert Bosch einen dreistelligen Millionenbetrag. 2020 sollen auf der Pilotlinie erste Muster der SiC-MOSFETs hergestellt werden, Trench-MOSFETs auf 150-mm-SiC-Wafern, die Bosch kurz als »T-MOS« bezeichnet. Auf der Pressekonferenz in Dresden waren neben ersten SiC-Wafern auch »T-MOS«-Chips zu sehen, mit 9 mm2, 23 mm2 und 32 mm2 Fläche.

Nach eigener Aussage betreibt Bosch bereits seit zehn Jahren Vorentwicklungen zu SiC-Leistungshalbleitern und verfüge über die nötige Kompetenz. Die SiC-Leistungs-MOSFETs aus Reutlingen sind allerdings nur für die interne Verwendung gedacht. Sie werden von Bosch selbst weiterverarbeitet und z.B. in Leistungswandlern für die Automobilindustrie eingesetzt.