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Vishay Intertechnology (Halle A5 Stand 143) präsentiert 15 neue 200-V-Gen-2-TMBS-Trench-MOS-Barrier-Schottky-Dioden in vier Gehäusevarianten, die den Strombereich von 5 bis 30 A abdecken. Durch ihre Durchlassspannung bis hinab zu 0,65 V (typ. bei 15 A) erhöhen sie die Energieeffizienz von Telekom-Stromversorgungen und LED-Treiberschaltungen. Die Schottky-Dioden dieser Serie sind für eine maximale Sperrschichttemperatur von +175 °C ausgelegt. Sie sind im Power-TO-263AB-Gehäuse und im TO-262AA-Gehäuse erhältlich. Außerdem gibt es das Modell V(B,I)T5202 (5 A) im TO-220AC-Gehäuse, die Modelle V(B,I)T10202C (10 A), V(B,I)20202G und V(B,I)20202C (20 A) und die Typen V(B,I)30202C (30 A) im TO-220AB-Gehäuse. Das TO-263AB-Gehäuse erfüllt die MSL-1 -Anforderungen (Moisture Sensitivity Level 1) des Standards J-STD-020 und kann bleifrei bis 245 °C gelötet werden. Die Gehäusebauformen TO-220AB, TO-220AC und TO-262AA erlauben eine Lötbadtemperatur von maximal 275 °C über 10 s nach JESD 22-B106.