Hochstrominduktivität
Findet Platz in einem 6767-Gehäuse
Die als IHLP-6767DZ-11 bezeichnete Hochstrominduktivität kommt in einem 6767-Gehäuse mit einer Bauhöhe von 4 mm aus. Durch ihren maximalen DCR-Wert bis hinab zu 2,05 mΩ trägt sie zu einem hohen Wirkungsgrad bei; außerdem deckt sie einen…