Top 10 Trends in der Halbleitertechnik 2019
20. Dezember 2019, 10 Bilder
Wissenschaftler des flämischen IMEC präsentierten p- und n-Typen für vertikale GAA-Nanowire- und Nanosheet-Transistoren mit SiGe/Si-Säulen und selbstjustierenden Spacern (Abstandshaltern), die zu hochskalierten Schaltungen führen könnten.