MOSFETs, Transistoren und Co.
17. Februar 2017, 7 Bilder
Für Schalteranwendungen in mobilen, batteriebetriebenen Geräten präsentiert Toshiba zwei n-Kanal-MOSFETs, die sich durch einen besonders geringen Durchlasswiderstand auszeichnen. Wegen der niedrigen Widerstandsverluste und der damit verbundenen Erhöhung des Systemwirkungsgrads, eignen sich der SSM6K513NU und der SSM6K514NU für Anwendungen, bei denen eine lange Batterielebensdauer erwünscht ist.