Infineons 300-mm-Dünnwafer-Fertigung qualifiziert
22. Februar 2013, 12 Bilder
Infineon setzt bei den Leistungshalbleitern auf Dünnwafer-Technologie. Heute werden beim IGBT Scheibendicken bis unter 40 µm erreicht. Immer größere Scheibendurchmesser sichern die Massenproduktion für den wachsenden Bedarf. Mit neuer Kupfermetallisierung (ganz links) setzt Infineon Maßstäbe in der Verbindungstechnik. Zu sehen sind die Wafer von 125 mm (rechts) bis 300 mm (links).