IEDM 2020: Highlights der Konferenz – Teil 1
7. Januar 2021, 10 Bilder
Ein Team unter der Leitung der UCSB hat ein CMOS-kompatibles Festphasen-Wachstumsverfahren beschrieben, mit dem sie großflächige Multi-Level-Graphen-Interconnects auf dielektrischen (Si02) und metallischen (Cu) Substraten herstellen.