Frühlingsneuheiten aus der Leistungselektronik
20. März 2017, 6 Bilder
Seine C3M-Plattform erweitert Wolfspeed um einen 1200-V-/75-mΩ-MOSFET mit neuen Gehäuseoptionen. Eine interessante Eigenschaft des Leistungsbausteins ist seine geringe Induktivität. Der neue 1200-V-SiC-MOSFET wird im 4L-TO-247-Gehäuse sowie im 7L-D2PAK-Gehäuse produziert. Die Bausteine basieren auf Wolfspeeds planarer C3M-MOSFET-Technologie der dritten Generation, die bereits in unterschiedlichen Automobil- und Industrie-Anwendungen verwendet wird. Er verfügt über einen niedrigen On-Widerstand von 75 mΩ und eine geringe Gate-Ladung. Dadurch eignet er sich für den Einsatz in dreiphasigen, brückenlosen PFC-Topologien sowie AC/AC-Wandlern und Ladegeräten. Ein weiteres Merkmal des SiC-MOSFETs ist seine niedrige Gütezahl.