Hohe EMV-Hürden erfordern Technologie-Umstieg
SOI für den LIN-Bus
28. September 2007, 16:10 Uhr |
Claus Mochel
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Fortsetzung des Artikels von Teil 2
„Latch-up“-Festigkeit
Auch in anderen Bereichen zeigen sich deutliche Vorteile: Im Automobil wird etwa eine „Latch-up“-Festigkeit über den ganzen Temperaturbereich (–40 °C < TSperrschicht <150 °C) gefordert. Während diese Forderung bei Standard-BCD-Technologien, speziell bei hohen Temperaturen, immer wieder Schwierigkeiten bereitet, ist dieses Problem aufgrund der nicht vorhandenen Sperrschichten zwischen zwei Bauelementen in SOI-Technologie quasi per Definition nicht vorhanden. Es werden also auch keine aufwendigen Layout-Maßnahmen wie Schutzringe und keine zusätzlichen Re-Designs benötigt, um diese Forderungen zu erfüllen.
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