Nichtflüchtige nvSRAM-Speicherbausteine

29. Oktober 2009, 11:51 Uhr | Björn Graunitz, Elektronik automotive

MSC vertreibt ab sofort die seriellen, nichtflüchtigen nvSRAM-Bausteine mit einer Speicherdichte von 1 bis 8 Mbyte von Cypress, die sich für den Einsatz in der Automobiltechnik eignen.

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Die Speicherbausteine stehen in unterschiedlichen Konfigurationen und Gehäusen zur Verfügung. Darüber hinaus verfügen sie über eine Echtzeituhr-Funktion (RTC). Die Daten aus dem SRAM lassen sich entweder automatisch oder per Software in den nicht flüchtigen Bereich schreiben.

Zudem lassen sich die nvSRAMs von Cypress als direkter Ersatz für batteriegepufferte SRAMs und EEPROMs einsetzen und eignen neben Anwendungen im Automobilsektor auch für andere Applikationen in Bereichen mit hohen Anforderungen an sichere Speicherung nichtflüchtiger Daten wie industrielle Steuerungen, Automatisierungssysteme oder Einplatinen-Computer.

Die Produktion der nvSRAMs ist laut Cypress für das erste Quartal 2010 geplant. Muster und Datenblätter sind bereits bei MSC erhältlich.


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