Leistungs-MOSFET mit 100 Volt Durchbruchspannung
NEC Electronics Europe hat die NP-Serie seiner Leistungs-MOSFETs erweitert. Die beiden neuen Bauteile weisen eine Durchburchsspannung von 100 V auf und ergänzen das Produktportfolio an Niedrigspannungs-Leistungs-MOSFETs für Anwendungen im Automobilbereich.
Die MOSFETs mit der Bezeichnung NP28N10SDE und NP36N10SDE werden im TO-252-Gehäuse (DPAK) angeboten und ermöglichen das Schalten von Strömen bis zu 28 bzw. 36 A und kombinieren durch die UMOS-2-Technologie von NEC Electronics geringe RDS(on)-Werte von 41 bzw. 27 mOhm mit geringen Werten für die Gate-Ladung und die Eingangskapazität.
Wie alle Mitglieder der NP-Serie sind die neuen Bauteile nach AEC-Q101 qualifiziert, unterstützen eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C und erfüllen die Anforderungen hinsichtlich RoHS.
Einsatzbereich für die neuen Bauteile sind Anwendungen im Automobilbereich, die eine höhere Spannungsfestigkeit benötigen, wie etwa DC/DC-Wandler und Steuerungen für Benzin- und Diesel-Einspritzsysteme sowie Lichtapplikationen wie LED oder HID.
Muster der Bauteile sind bereits verfügbar, die Massenfertigung wird im Laufe des zweiten Halbjahres 2009 starten.
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