Toshiba Electronics Europe
SiC-MOSFET-Muster für 1200 V im Bare-Die-Format
Toshiba Electronics Europe hat 1200-V-SiC-MOSFETs mit niedrigem RDS(ON) und hoher Zuverlässigkeit entwickelt, die ab sofort als Testmuster im Bare-Die-Format ausgeliefert werden, so dass Kunden sie an ihre spezifischen Anforderungen anpassen können.