Ein erweitertes Portfolio an Prozessen für die Fertigung von Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern bietet nun die chinesische Spezialfoundry Sanan IC weltweit an. Diese umfasst unter anderem Siliziumkarbid-Bausteine für 650 V und 1200 V sowie Galliumnitrid-HEMTs für 650 V.
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