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GaN-Leistungshalbleiter charakterisieren

Herausforderung GaN-FET-Test

Die dynamische Charakterisierung von Leistungshalbleitern mit großer Bandlücke ist eine echte Aufgabe. Vor allem Leistungshalbleiter-FETs aus Galliumnitrid machen Probleme, weil ihr Betrieb mit höheren Frequenzen und verschiedenen Technologien verknüpft ist. Wie meistert man diese Herausforderungen?

Power für Gebäudeautomatisierung

Die Zukunft steht vor der Tür

Das Smart House treibt die Digitalisierung ganzer Gebäude voran. Türöffner,...

Automatisiertes Fahren

Ssangyong testet Level-3-Fahrzeuge auf Koreas Straßen

SsangYong testet das automatisierte Fahren auf Level 3 ab sofort auf öffentlichen...

Nur Globalfoundries verliert

Plus 18 Prozent für Top-Ten-Foundries

Außer Globalfoundries können alle Top-Ten-Foundries ihren Umsatz im vierten Quartal...

OPC-UA-Kommunikation auf der Feldebene

OPC Foundation bringt Standardisierung voran

Der Standardisierungsprozess für die OPC-UA-Kommunikation auf der Feldebene hat zu...

Industrial Ethernet

Ist OPC UA die richtige Wahl?

In der Industrie setzt sich die Ethernet-Kommunikation immer mehr durch. Welches...

Kontamination ausgeschlossen

Mobiles Covid-19-Schnelltestlabor

Siemens und Auto-Info haben gemeinsam eine mobile, modulare...

Steigende Produktionszahlen

Deutsche Industrie mit Rückenwind

Die deutsche Industrie ist mit Rückenwind in den Teil-Lockdown gegangen. Die Produktion...

Individuelle Mobilität unterstützen

My BMW App in 30 europäischen Märkten, China und Korea

Für 30 europäische Märkten, China und Korea stellt BMW eine neue App-Generation zur...

Verband der Automobilindustrie

E-Ladenetz-Ranking für Deutschland vorgestellt

Welche Landkreise und welche Städte sind vorn, wer muss aufholen bei der Infrastruktur...