microGaN und Diotec Semiconductor
600 V SiGaN Schottky für Solarwechselrichter
Zu den neuesten Produkten der Design- und Marketing-Zusammenarbeit zwischen microGaN und Diotec Semiconductor im Bereich Gallium-Nitrid gehört eine 4 A/600 SiGaN Schottky-Diode mit einer Barrierenhöhe von 0,3 V.