600 V SiGaN Schottky für Solarwechselrichter

Zu den neuesten Produkten der Design- und Marketing-Zusammenarbeit zwischen microGaN und Diotec Semiconductor im Bereich Gallium-Nitrid gehört eine 4 A/600 SiGaN Schottky-Diode mit einer Barrierenhöhe von 0,3 V.

Die Speicherladung liegt im Bereich vergleichbarer Silizium-Karbid-Bauteile, während ihre Fluss-Spannung im Vergleich dazu deutlich niedriger liegt: bei 4 A und 25 °C typisch bei 1,2 V bie 100 °C typisch bei 1,6 V. In Antriebs- oder Solarwechselrichtern lassen sich damit die Verluste signifikant reduzieren, indem die Intrinsic-Diode der verwendeten Silizium-Superjunction MOSFETs durch die SiGaN-Schottkys überbrückt wird.