Forschung
Schnellster siliziumbasierter Transistor der Welt präsentiert
Auf dem »International Electron Devices Meeting« (IEDM) in San Francisco stellte Dr. Bernd Heinemann vom Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP) die von seinem Institut und 12 Projektpartnern entwickelten Silizium-Germanium Heterobipolartransistoren SiGe HBTs mit 505 GHz/720 GHz vor.
»Gemeinsam mit Infineon und weiteren zwölf Projektpartnern aus insgesamt sechs Ländern ging es in dem vierjährigen Projekt darum, SiGe HBTs mit einer maximalen Schwingfrequenz, die auch als fmax bezeichnet wird, von 0,7 THz zu entwickeln«, sagt Dr. Bernd Heinemann, Projektleiter am IHP.
»Die vorgestellten fmax-Werte übertreffen die Bestwerte aktueller Produktionstechnologien etwa um den Faktor zwei. Solche Transistoren ermöglichen die Realisierung drahtgebundener und drahtloser Kommunikationssysteme mit noch höheren Datenraten (>100 Gb/s). Mit den schnellen HBTs kann die Leistungsfähigkeit von Radarsystemen, die z. B. in Personenkraftwagen der Gefahrenabwendung dienen, gesteigert werden, indem der Leistungsverbrauch gesenkt oder die Reichweite und räumliche Auflösung erhöht werden.«
Ihr Einsatz beginnt jetzt auch in bisher für Siliziumbauelemente unzugänglichen Einsatzbereichen wie bildgebenden Verfahren im Frequenzbereich von 0,3 bis 1 Terahertz, etwa in der Materialprüfung, bei Sicherheitskontrollen, Gewebeanalysen in der Medizin oder der Detektion von Luftverschmutzungen.
Die jährlich in den USA stattfindende IEDM gilt seit mehr als sechzig Jahren als weltweit wichtigstes Forum für technologische Durchbrüche in den Bereichen Halbleiter- und elektronische Bauelemente von der Physik bis zur technologischen Umsetzung.
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