GaN-FETs für Schaltnetzteile
Durchstarten dank großer Bandlücke
Von Elektrofahrzeugen bis hin zu Industrieinfrastrukturen: Eine höhere Effizienz und höhere Leistungsdichten erfordern eine Abkehr von klassischen Silizium-Strukturen. GaN-FETs bieten mit höheren Betriebsspannungen, kürzeren Schaltzeiten und höheren…