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Forschung und Lehre

Erste Erfolge im EU-Projekt YESvGaN

Vertikale GaN-Transistoren zu Kosten von Silizium

Laterale GaN-auf-Silizium-HEMTs sind mittlerweile breit am Markt verfügbar. Vertikale GaN-Leistungstransistoren, wie sie bei Silizium und Siliziumkarbid (SiC) üblich sind, bergen große Herausforderungen. Das EU-Projekt YESvGaN will daran arbeiten, und nach einem Jahr zeigen sich erste Erfolge.

Hochschule München

Bugatti-Rennwagen mit Elektroantrieb ausgerüstet

Studierende der Fakultät für Maschinenbau, Fahrzeugtechnik, Flugzeugtechnik der...

Ameise als Vorbild

Roboterbausatz für junge Maker

Die Roboterameise »variAnt« läuft und verhält sich beinahe wie ihr lebendes Vorbild....

Wenig Ressourcen, wenig Kosten

Mit Fledermaus-Ortung neue Lacke schnell entwickeln

Mit einem neu konzipierten Rheometer lassen sich erstmals Lacke beim Trocknen...

Forschen für die Energiewende

Effizienzrekord für Wärmepumpen-Kältekreis mit Propan

Im Projekt LC150 entwickeln das Fraunhofer-Institut ISE und ein Konsortium aus...

Leitfaden des Fraunhofer IPA

Mit KI zu mehr Nachhaltigkeit

Das KI-Fortschrittszentrum »Lernende Systeme und Kognitive Robotik« des Fraunhofer IPA...

VDE und französisches Konsortium

Label für vertrauenswürdige KI

Das französische »Confiance.ai«-Konsortium und die Technologieorganisation VDE haben...

Mithilfe neuartiger Batterie-Elektroden

Doppelt so weit fahren, fünfmal so schnell laden

Mithilfe eines Magnetfelds haben Forschende der University of Texas in Austin dicke...

QPUs in Stückzahlen

Intel feiert Quantendurchbruch

Intel ist der Produktion von Quantenprozessoren in hohen Volumen auf Basis bekannter...

Energiebedarf in Gebäuden senken

Dünnschichttechnologien für die Energiewende

Glasfassaden entlasten im Winter die Heizung, im Sommer ist deswegen jedoch eine aktive...