Power

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter

SiC und GaN richtig ansteuern

Die Leitlinien für die Gate-Ansteuerung von Silizium-MOSFETs oder -IGBTs lassen sich nicht Eins zu Eins auf Wide-Bandgap-Halbleiter (SiC und GaN) übertragen. Dieser Artikel reflektiert einige der Erfahrungen, die ein Team bei Future Electronics mit…

Seminarangebot

Basiswissen Lithium-Batterien

Umfangreiches Grundlagenwissen zu Lithium-Batterien und deren Weiterentwicklung vermittelt…

Wireless Power

Module für 13,56 MHz

Basierend auf seinen Sender- und Empfänger-ICs bietet Rohm Semiconductor funktionsbereite…

Toyota

Brennstoffzellen für den Schienenverkehr

Toyota hat die ersten von sechs Brennstoffzellenmodulen für einen emissionsfreien Zug…

Simulations-Tool

REDEXPERT um EMI-Filter-Tool erweitert

Sein Online-Tool REDEXPERT hat Würth Elektronik eiSos um einen EMI Filter Designer…

Windkraft

Ausbau in Bayern erreicht Tiefpunkt

Saubere und bezahlbare Energie findet jeder gut. Trotzdem sind gerade Windräder in Bayern…

Nicht entflammbare Li-Ion-Batterie

Nanotech Energy gewinnt CES Innovation Award 2022

Für seine nicht entflammbaren Lithium-Ionen-Batterien mit Graphen-basierten Elektroden hat…

Zehn Jahre Stillstand

Energiewende auf der Kippe

Die Energiewende kostet viel Geld und wackelt. Zwar sei viel diskutiert und geplant…

SVolt Energy Technology

Batterien mithilfe von KI smarter und ökologischer fertigen

Auf ihrem Battery Day hat SVolt angekündigt, seine globale Produktionskapazität bis 2025…

Wirtschaftsexperten

Rohstoffpreise gefährden Energiewende

Stark steigende Rohstoffpreise gefährden nach Ansicht von Wirtschaftsexperten den…