PCIM 2016 - Aktuelle Produkte auf der Leistungselektronik
26. April 2016, 5 Bilder
Transphorm ist es nach eigenen Angaben gelungen, bei seinem neuesten GaN-FET TPH3207WS die Leistungsdichte zu verdoppeln. Die Bausteine bieten einen RDS(on) von 41 mΩ sowie eine Qrr von 175 nC. Untergebracht sind die Bauteile in einem TO-247-Gehäuse. Anwendung finden die GaN-FETs in Onboard-Ladegeräten, Solarwechselrichtern und Telekommunikationsnetzteilen. Zu sehen ist das Produktportfolio auf der PCIM auf den Ständen von Hy-Line und Glyn.
PCIM Europe 2016: Halle 9, Stand 535 und Stand 301