Beim FDMS86181 von Fairchild handelt es sich um einen n-Kanal-Shielded-Gate-MOSFET mit 100 V Sperrspannung. Der PowerTrench-MOSFET bietet einen max. RDS(on) von 4,2 mΩ bei einer UGS von 10 V sowie einer ID von 44 A. Bei 6 V und 22 A liegt der max. spezifische Einschaltwiderstand bei 12 mΩ. Zu den weiteren Eigenschaften zählen laut Unternehmen eine gegenüber Konkurrenzprodukten um 50 % geringere Qrr, ein verbessertes EMV-Verhalten sowie geringere Schaltverluste durch eine minimierte Gate-Ladung.
PCIM Europe 2016: Halle 9, Stand 342