Forschungszentrum Jülich
Erster GeSn-Halbleiterlaser für Silizium-Chips
Wissenschaftler des Forschungszentrums Jülich und des Paul Scherrer Instituts haben den ersten Germanium-Zinn-Halbleiterlaser entwickelt. Er lässt sich direkt auf einem Silizium-Chip aufbringen und schafft damit eine neue Grundlage, um Daten mittels…