Organische IR-Bildsensoren auf CMOS
Prototyp erreicht SVGA-Auflösung
Am Fraunhofer FEP werden organische Photodioden auf CMOS gefertigt. Mit der Technik lassen sich IR-Bildsensoren günstig produzieren. Der neueste Prototyp erreicht mittlerweile SVGA-Auflösung.