IR-Diode zur optischen Datenübertragung auf Chip-Level
24. Februar 2017, 3 Bilder
An der Entwicklung des GeSn-Halbleiterlasers auf Si waren u.a. diese Wissenschaftler des Peter Grünberg Instituts (PGI-9) beteiligt, das zum Forschungszentrum Jülich gehört. Im Reinraum am PGI stehen Reinraum (von links) Prof. Siegfried Mantl, Prof. Detlev Grützmacher, Stephan Wirths, Nils von den Driesch und Dr. Dan Buca.