IR-Diode zur optischen Datenübertragung auf Chip-Level
24. Februar 2017, 3 Bilder
Die Grundlage für die SiGeSn-Diode wurde schon vor einigen Jahren gelegt. Ein erster großer Meilenstein war der Anfang 2015 vorgestellte GeSn-Halbleiterlaser auf Silizium. »Entscheidend für die optischen Eigenschaften ist der hohe Zinngehalt. Wir konnten erstmals über zehn Prozent Zinn in das Kristallgitter einbauen, ohne dass es seine optische Güte verliert«, sagte damals Doktorand Stephan Wirths.