National Semiconductor

RMS-HF-Leistungsdetektor für 3G/4G-Handys

29. November 2010, 16:01 Uhr | Nicole Wörner

Im 0,82 x 1,22 mm kleinen microSMD-Gehäuse mit sechs Kontakthöckern steckt der lineare RMS-Hochfrequenz-Leistungsdetektor LMH2120 von National Semiconductor.

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Mit einem Dynamikbereich von bis zu 40 dB misst er die HF-Ausgangsleistung eines Leistungsverstärkers. Der Baustein unterstützt Frequenzen von 50 MHz bis 6 GHz und einen HF-Leistungsbereich von -35 bis +5 dBm. Er weist eine hohe Performance-Stabilität bei Temperaturen von -40 bis +85 °C auf. Dank einer Temperaturabweichung von nur ±0,5 Prozent über einen Dynamikbereich von 40 dB bei 1900 MHz müssen in diesem Frequenzband nur minimale Schutzbereiche vorgesehen werden. Der Baustein liefert modulationsunabhängige Messungen von unter 0,3 dB und benötigt nur eine einzige Versorgungsspannung, die zwischen 2,7 und 5 V betragen kann. Seine Ausgangsspannung ist proportional zur HF-Eingangsleistung (in dBm). Die reguläre Stromaufnahme des LMH2120 von 2,9 mA reduziert sich im Shutdown-Modus auf 3,8 µA. Über einen Shutdown-Pin lässt sich die Leistungsaufnahme zwischen den Messungen absenken, um die Akkulaufzeit des Mobiltelefons zu verlängern.


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