Grünes Licht für 3G im 900-MHz-Band

Grünes Licht für 3G im 900-MHz-Band

Die Chip-Hersteller haben vorgesorgt

Sowohl GSM als auch UMTS sind europäische Mobilfunk-Standards für den Weltmarkt. Da ist es nicht weiter überraschend, dass insbesondere die beiden verbliebenen europäischen Hersteller von Mobilfunk-ICs, Infineon Technologies und ST Ericsson, sich rechtzeitig auf die Forderungen der Netzbetreiber und Handhersteller eingestellt haben.

Infineon bietet den Hochfrequenztransceiver »SMART UE« für EDGE und HSPA an. Dieser ist in Infineons 130-nm-CMOS-Prozess gefertigt und war bei seiner Vorstellung im Februar 2007 der weltweit erste Single-Chip-UMTS/EDGE-Transceiver mit einer digitalen Transceiver-Basisbandschnittstelle nach dem DigRF-3.09-Standard. Die Integration analoger Basisband Funktionen wie A/D- und D/A-Wandlern im SMARTi UE ermöglicht Mobiltelefonherstellern den Einsatz rein digitaler Ein-Chip-Basisbandlösungen anstelle teurer und komplexerer Mixed-Signal-Basisbänder. Der Chip unterstützt die UMTS-Bänder I-VI sowie VIII-X (VIII ist das 900-MHz-Band). Für EDGE unterstützt er 850, 900, 1800 und 1900 MHz.

Weitere Merkmale sind HSDPA und HSUPA, drei beliebige Kombinationen der UMTS-Bänder I bis X sowie Quad-Band-EDGE. Die mit HSPA erreichbare Datenrate liegt bei 14,4 Mbps downlink und 5,76 Mbps uplink. Der Chip unterstützt internationales Roaming. Das Chip-Gehäuse misst nur 6 x 6 mm und ist damit deutlich kleiner als die erste Generation von UMTS/EDGE-Single-Chip Transceivern, die 7 x 7 mm oder mehr beanspruchen. Einschließlich externer Komponenten misst der komplette Funkteil eines Multimode-3G Telefons mit SMARTi UE nur 400 qmm, das ist etwa halb so groß wie die Vorgängermodelle.

Das Geschäft mit Funk-Transceivern gehört übrigens zu den Kernkompetenzen des deutschen Chipherstellers. »Infineon ist Marktführer im Bereich RF-Transceiver und hat im vergangenen Jahr mehr als 230 Millionen Einheiten ausgeliefert «, attestiert Chris Taylor, Director of RF & Wireless Components beim Marktforschungsunternehmen Strategy Analytics. »Wenn die wichtigsten Mobiltelefonhersteller in den kommenden zwei Jahren auf EDGE, H-EDGE und DigRF setzen, will Infineon weiter die Nase vorne haben«, urteilt Taylor.

Das will allerdings auch der zweite unabhängige europäische Mobilfunkchiphersteller ST Ericsson. Dieses Unternehmen entstand 2008, nachdem zuerst STMicroelectronics und die Philips-Halbleitertochter NXP fusioniert hatten. Als anschließend Philips aus- und Ericsson eingestiegen war, entstand mit ST Ericsson eine neue Mobilfunk-Chip-Macht, die den USAmerikanern Qualcomm und Texas Instruments die Stirn bieten will. Einen Meilenstein in ST Ericssons Produktstrategie stellt der erst kürzlich präsentierte Dual-Mode-HSPA/ EDGE-Transceiver »Aero-4228« dar. Er unterstützt internationales Roaming, die vier GSMBänder (850, 900, 1800 und 1900 MHz), die WCDMA-Bänder I-VI sowie VIII-X in mehreren Dreifach-Kombinationen (typisch sind I, II, V oder II, IV und V) und kommt in den WDCMA-Zwischenstufen obendrein ohne SAW-Filter aus.

Letzteres ist ein Novum, das den Handy-Entwicklern sehr gelegen kommen dürfte, verspricht doch die Integration dieser wichtigen HF-Funktion weitere Platz- und Kosteneinsparungen. Der hochintegrierte CMOS-Baustein selber misst 7 x 7 mm und steckt in einem 141-poligen BGA-Gehäuse. Auf dieser Fläche sind allerhand Funktionen enthalten: rauscharme Verstärker (LNA) für EDGE und HSPA, Rxund Tx-Synthesizer mit voll integrierten Schleifenfiltern, ein DCDC-Wandler und mehrere Linearregler, so dass der Baustein sich direkt an den 3,7-V-Akku anschließen lässt. Auch ein digital kompensierter Quarzoszillator (DCXO) ist integriert, was bedeutet, dass der sonst benötigte teure und Platz raubende VC-TCXO entfallen kann. Und natürlich fehlt auch bei diesem Baustein die DigRF-Schnittstelle für den interoperablen Betrieb mit entsprechend ausgerüsteten 2GBasisband-ICs anderer Hersteller nicht. (wo)

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