Halbleiter

GaN in Motorsteuerungs-Anwendungen

Hervorragende Alternative zu MOSFETs und IGBTs

Im Vergleich zu klassischen Silizium-Lösungen bestechen GaN-Bauteile außer mit niedrigeren RDS(on)-Werten und einer geringeren Gesamt-Gateladung vor allem durch hohe Drain-Source-Spannung, dem Wegfall der Sperrverzögerungsladung und sehr geringen…

Microchip Technology

Erste PCIe-Gen6-Switches für KI-Infrastrukturen

Microchip Technology hat die branchenweit ersten PCIe-Gen6-Switches vorgestellt, die…

Energieumwandlung in Haushaltsgeräten

Das Beste aus zwei Welten: Hybrid SiC SLIMDIP-Module

Themen wie Nachhaltigkeit und wirtschaftliche Effizienz drängen auf die Reduzierung des…

Überspannungsschutz

Zenerdioden im kompakten SOD-523-Gehäuse

Toshiba Electronics Europe erweitert mit der Einführung der XCEZ-Serie sein Angebot an…

Umschichtung im Sondervermögen

ZVEI fordert: keine Schwächung der Mikroelektronik

In einer Stellungnahme des ZVEIs von gestern warnt Sarah Bäumchen, Geschäftsführerin des…

IEDM 2025

Grund zum Feiern: 100 Jahre FETs

Vom 6. Bis 10. Dezember findet die IEDM zum 71ten Mal in San Francisco statt. Das Motto…

Imec

Neues 300-mm-GaN-Programm für Low- und High-Voltage-Anwendungen

Das imec hat ein neues 300-mm-GaN-Programm gestartet, um fortschrittliche…

AMD

Neue Embedded Prozessoren

AMD bringt die Ryzen Embedded 9000 Serie Prozessoren auf den Markt, die für Industrie-PCs,…

In der Fab von onsemi

Weebit testet erfolgreich ICs mit integrierten ReRAM

Weebit Nano hat Chips mit nichtflüchtigen integrierten ReRAM-Speichern in der 300-mm-Fab…

6 Gigawatt

Strategische Partnerschaf zwischen AMD und OpenAI

AMD und OpenAI haben sich auf eine »6 Gigawatt Partnerschaft« geeinigt, um die…