Flash-Speicher
9. NAND-Generation erreicht Leistung der 10.
Kioxia hat mit der Auslieferung von Mustern seines 1-Tbit-TLC-3D-Flashspeichers der 9. Generation begonnen. Die Speicherbausteine sind für Anwendungen wie KI-PCs und Smartphones mit niedrigen bis mittleren Speicherkapazitäten ausgelegt und sollen hohe Leistung mit hoher Energieeffizienz verbinden.
Die neue Generation basiert auf einem 230-Layer-Aufbau und kombiniert Speicherzellen der 8. BiCS-FLASH-Generation mit einer weiterentwickelten CMOS-Technologie. Die NAND-Schnittstellengeschwindigkeit steigt auf 4,8 Gbit/s und liegt damit rund 33 Prozent über der Vorgängergeneration. Laut Kioxia erreicht die 9. Generation damit bereits das Leistungsniveau der angekündigten 10. Generation.
Mit der Einführung setzt Kioxia seine Zwei-Achsen-Strategie fort: Während die 9. Generation eine hohe Leistung bei vergleichsweise geringen Investitionskosten bieten soll, zielt die 10. Generation mit einer weiterentwickelten Layer-Stacking-Technologie auf maximale Speicherkapazität und Leistung ab.