7-nm-CMOS-Plattformen auf der IEDM 2016

9. Dezember 2016, 6 Bilder
© IEDM/IBM/Globalfoundries/Samsung

Allianz IBM/GlobalFoundries/Samsung: Elektronenmikroskopischer Schnitt durch einen 48CPP-Transistor. Optimierte, selbstorganisierende Kontakte mit einer Öffnung von ca. 10 nm bei einer Länge der Metallschicht von 15 nm.