Firma

INFINEON Technologies AG Neubiberg

Galliumnitrid-Transistoren für 1200 V

Auslaufmodell Siliziumkarbid?

Siliziumkarbid wird bei Anwendungen bis 25 kW und Spannungen bis 1200 V bis Ende des Jahrzehnts durch Galliumnitrid ersetzt. Diese These vertreten immer mehr Experten in der Leistungselektronik. Wir fragten bei Industrievertretern, Forschern und…

Kompakter, modularer Inverter

Standard-Bauelemente bilden die Basis

Mankel-Engineering hat gemeinsam mit TDK und Infineon Technologies einen sehr kompakten…

Infineon Technologies

Quarter better than expected and raised outlook

Infineon Technologies concludes a significantly better-than-expected quarter and again…

Gastkommentar zum AMA Innovationspreis

»Der Technologietransfer aus den Hochschulen funktioniert«

25 Entwicklerteams hatten sich in diesem Jahr um den AMA Innovationspreis beworben. Fünf…

Neue Potenziale für Elektrofahrzeuge

Entwicklung von Onboard-Ladegeräten für künftige Elektrofahrzeuge

Erhöhte Reichweiten sind entscheidend für den Markterfolg von Elektrofahrzeugen. Parallel…

PCIM Europe 2023

Nachhaltigkeit in der Leistungselektronik

Mit einer Rekordausstellungsfläche von über 30.000 m2 und über 500 Ausstellern wartet die…

Efficient SiC automotive solutions

Infineon and Schweizer cooperate in chip embedding

Infineon and Schweizer Electronic want to jointly increase the efficiency of silicon…

Effiziente SiC-Automotive-Lösungen

Infineon und Schweizer partnern bei Chip-Embedding

Infineon und Schweizer Electronic wollen gemeinsam die Effizienz von Siliziumkarbid-Chips…

Infineon Technologies

Industry’s first LPDDR Flash memory

Infineon Technologies launched the industry’s first LPDDR Flash memory to enable…

Interview mit Dr. Peter Wawer, Infineon

Kapazitäten von Si auf SiC umgewidmet

Dr. Peter Wawer leitet seit Juli 2016 die Infineon-Division »Industrial Power Control«,…