Elektronik

Fraunhofer IAF

Galliumnitrid-Schaltungen monolithisch integriert

Aus GaN lassen sich nicht nur außergewöhnliche Einzelschalter fertigen. Da sich durch ihre laterale Struktur weitere Schaltungsteile monolithisch integrieren lassen, steigt auch der Funktionsumfang der Bauteile.

Definition von Schottky-Dioden

Die Basis muss die Verlustleistung sein!

Weil tragbare Anwendungen immer ausgereifter werden und Endverbraucher längere…

Weidmüller Interface

Verbindung zwischen Leiterplatte und Motor

Die Leiterplattensteckverbinder-Generation Omnimate Power Hybrid verbindet in einem…

Industrielle Stromversorgungen

Medizintechnik und Industrieanwendungen

Niemals zuvor hat TDK-Lambda so viele neue Stromversorgungen auf der Electronica…

Entwicklungszyklen im Vergleich

Embedded Linux contra proprietäres RTOS

Das enorme Angebot an kostenloser Software, der Fülle unterstützter Hardware und das…

Umfirmierung von dataTec

Aus der GmbH wird eine AG

Die Überführung der dataTec GmbH in eine nicht börsennotierte Aktiengesellschaft soll den…

CoolSiC-MOSFETs

Schritt für Schritt SiC-Designs etablieren

Um SiC für eine Vielzahl von Anwendungen wie Solarwechselrichter, USVs und Ladesysteme…

Endrich Bauelemente Vertriebs GmbH

Optokoppler für besonders flache Platinen-Designs

In enger Zusammenarbeit mit Endrich hat CT Micro den nach eigenen Angaben flachsten…

electronica

Kurzer Messerundgang

Ein Tag auf der electronica und einige Messe-Neuheiten in Bildern.

Energiespeicher-Test im Bodensee

Kugeln als Zwischenspeicher für Offshore-Windkraftanlagen

Die Windverhältnisse auf dem Meer sind optimal für Offshore-Windkraftanlagen: Sie können…