IEDM 2016
Renesas zeigt MONOS-Flash mit FinFETs bis 14 nm
Auf der IEDM hat Renesas Split-Gate-MONOS-Flash-Speicherzellen mit Transistoren in FinFET-Form für den Einsatz in Mikrocontrollern mit On-Chip-Flash-Speicher vorgestellt. Diese lassen sich laut Renesas mindestens bis auf Strukturbreiten von 14/16 nm…