UnitedSiC stellt vierte Generation an SiC-Transistoren vor

27. November 2020, 8 Bilder

Bild 2: Die Kennzahl (Figure of Merit) für hart schaltende Topologien (RDS(on) × Eoss) der neuen Gen4-SiC-FETs von UnitedSiC im Vergleich zu Konkurrenzprodukten mit 650 V Nennspannung.

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