26. September 2017, 3 Bilder
Mitsubishi Electric stellt neue SiC-MOSFET-Struktur vor
Mit der neuen Source-Struktur, die Mitsubishi Electric auf der ICSCRM 2017 vorgestellt hat, sinken die Verluste bei gleicher Robustheit um mehr als 20 % zu herkömmlichen SiC-MOSFETs.