Produkt-Highlights der Virtual APEC 2021

Ein Referenzdesign für einen GaN-basierten LLC-Resonanzwandler mit 3 kW hat GaN Systems vorgestellt. Mit dem GS-EVB-LLC-3KW-GS sollen Unternehmen, die Anwendungen etwa für Rechenzentren entwickeln, ihre Designzyklen, Kosten und Markteinführungszeiten reduzieren. Der mit bis zu 450 KHz getaktete Vollbrücken-Resonanzwandler mit den 650-V-GaN-Transistoren von GaN Systems übertrifft den 80-PLUS-Titanium-Standard für Netzteile und erreicht eine Leistungsdichte von 146W/Zoll³ (bei forcierter Luftkühlung) und einen Wirkungsgrad von bis zu 96 Prozent. Mit einer Höhe von unter 30 mm lässt es sich im 1-HE-Formfaktor unterbringen.