Produkt-Highlights der Virtual APEC 2021
24. Juni 2021, 10 Bilder
Um das Angebot für den Markt für Elektrofahrzeuge zu erweitern, hat ON Semiconductor zwei neue SiC-MOSFET-Module für 1200 V vorgestellt. Die SiC-MOSFETs basieren auf einer Planar-Struktur und eignen sich für eine Ansteuerspannung im Bereich von 18 V bis 20 V und lassen sich mit negativen Gate-Spannungen abschalten. Der größere Chip (Die) verringert den Wärmewiderstand im Vergleich zu Trench-MOSFETs, was die Chip-Temperatur bei gleicher Last verringert. Der als 2-PACK-Halbbrücke konfigurierte NXH010P120MNF ist ein 10-mΩ-Baustein im F1-Gehäuse. Der NXH006P120MNF2 ist ein 6-mΩ-Baustein im F2-Gehäuse. Ein integrierter NTC-Thermistor erleichtert die Temperaturüberwachung.