IGBTs, MOSFETs & Co.
26. Oktober 2016, 11 Bilder
Seine U-MOS-IX-H-MOSFETs ergänzt Toshiba um zwei neue 40-V-N-Kanal-Typen. Der TK31E04PL im TO-220-Gehäuse und der TK3R1A04PL im TO-220SIS-Gehäuse erreichen eine maximale Durchlassspannung von 40 V und arbeiten mit Gate-Source-Spannungen von ±20 V.