IGBTs, MOSFETs & Co.

26. Oktober 2016, 11 Bilder

Seine U-MOS-IX-H-MOSFETs ergänzt Toshiba um zwei neue 40-V-N-Kanal-Typen. Der TK31E04PL im TO-220-Gehäuse und der TK3R1A04PL im TO-220SIS-Gehäuse erreichen eine maximale Durchlassspannung von 40 V und arbeiten mit Gate-Source-Spannungen von ±20 V.

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