IGBTs, MOSFETs & Co.

26. Oktober 2016, 11 Bilder

Seine U-MOS-IX-H-MOSFETs ergänzt Toshiba um zwei neue 40-V-N-Kanal-Typen. Der TK31E04PL im TO-220-Gehäuse und der TK3R1A04PL im TO-220SIS-Gehäuse erreichen eine maximale Durchlassspannung von 40 V und arbeiten mit Gate-Source-Spannungen von ±20 V.

zurück zum Artikel

Neueste Bilderstrecken

12. September 2025, 10 Bilder

Impressionen von der IAA MOBILITY 2025

Bildergalerie zur IAA MOBILITY 2025 in München

4. September 2025, 10 Bilder

Spatenstich TTI Maisach

Bildergalerie: Spatenstich TTI Maisach Logistikzentrum

4. September 2025, 9 Bilder

Stromerzeugung in der Luft

Deutsche Startsups

31. August 2025, 10 Bilder

Health Electronics Summit - Vorträge und Themen

Wir stellen alle Vortragenden und ihre Themen auf dem Health Electronics Summit 2025 am…

28. August 2025, 7 Bilder

Der Lifestyle-City-Surfer etu

Vision der urbanen Mobilität

22. August 2025, 6 Bilder

XPeng auf der IAA Mobility 2025

Messeauftritt im Zeichen von KI

31. Juli 2025, 5 Bilder

Aumovio – Premiere auf der IAA Mobility

Conti-Unternehmensbereich Automotive stellt sich vor

15. Juli 2025, 5 Bilder

Embedded Medical: 5 Komponenten für die Medizingeräte von morgen

Hard- & Software für Medtech-Entwickler: Wie zeigen aktuelle Must-Have-Bauteile und -Tools…

27. Juni 2025, 236 Bilder

Sommernachtsfest 2025 (Teil 1)

Impressionen vom Sommernachtsfest 2025

27. Juni 2025, 145 Bilder

Sommernachtsfest 2025 (Teil 2)

Weitere Impressionen vom Sommernachtsfest 2025

Alle Bilder