Frühlingsneuheiten aus der Leistungselektronik

Für die Entwicklung leistungsfähiger und effizienter Stromversorgungen stellt STMicroelectronics die 900-V-MDmesh-K5-Superjunction-MOSFETs vor. Mit ihrer Durchbruchspannung von 900 V eignen sich die MOSFETS für Systeme mit hohen Busspannungen. Erhältlich sind die Bausteine schon mit On-Widerstandswerten ab 100 mΩ (im DPAK-Gehäuse). Des Weiteren zeichnen sich die MOSFETs durch eine sehr niedrige Gateladung Qg aus. Die Bausteine adressieren ein breites Produktspektrum: von Server-Netzteilen über 3-Phasen-Schaltnetzteile, Netzteile für LED-Beleuchtungen, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solargeneratoren, Schweißgeräte und industrielle Antriebe bis hin zur Fabrikautomation.