Littelfuse und Monolith Semiconductor stellen zwei neue 1.200-V-N-Kanal-SiC-MOSFETs vor, die sich durch einen besonders niedrigen Durchlasswiderstand auszeichnen.
Die für Umrichter-Systeme optimierten Leistungshalbleiterbausteine sind im TO-247-3L-Gehäuse erhältlich.