7-nm-CMOS-Plattformen auf der IEDM 2016
9. Dezember 2016, 6 Bilder
TSMC 7-nm-Prozess: Shmoo Plot des hochdichten 256-Mbit-SRAM-Makros mit Zellgrößen von 0,027 µm2 zeigt, dass bis hinunter zu 0,5 V volle Lese- und Schreibfähigkeit besteht.