Die Technische Akademie Esslingen veranstaltet am 3. und 4. Mai ein Seminar zum Thema Robustheit und Zuverlässigkeit von ICs, besonders in Hinblick für ihren Einsatz in Autos.
Neue Halbleitertechnologien werden im Markt der High-End-Siliziumtechnologien überwiegend durch Anwendungen in Consumer- und Industrie-Bereichen vorangetrieben. Strukturverkleinerungen reduzieren jedoch häufig Robustheit und Zuverlässigkeit: Die spezifisch höheren Belastungen nähern sich den materialbedingten Ausfallgrenzen.
Gegenüber früheren Generationen mit robusteren Strukturen treten nun bisher weniger relevante Ausfallmechanismen neu in den Vordergrund und bestimmen die Physik der Fehler. Ein typischer Fall tritt zum Beispiel in NAND-Flash-Speicherzellen auf: Die Strukturen der Zellen sind inzwischen so klein, dass die Data-Retention-Werte durch den erhöhten Schreib-Lese-Stress in den dünneren Gateoxiden stark reduziert und für bestimmte Anwendungen kritisch werden. Ohne Nachweis von Risikoanalysen und deren Bewertung können in schwerwiegenden Schadensfällen für verantwortliche Personen und Unternehmen rechtlich und wirtschaftlich schwierige Situationen entstehen.
Wie sich diese Probleme lösen lassen, erfahren die Teilnehmer des Premium-Seminars »Neue Halbleitertechnologien – Chancen und Ausfallrisiken«, das die Technische Akademie Esslingen am 3. und 4. Mai unter Leitung von Dipl. Ing. Helmut Keller durchführt. Hier finden Sie das Programm im Detail.
Dabei geht das Seminar auch auf die relativ neuen Wide-Band-Gap-Technologien ein, auf deren Basis leistungsfähigere Hochleistungsschalter und schnellere Hochgeschwindigkeitstransistoren gefertigt werden können, die jetzt in der Industrie- und Automobilelektronik Einsatz finden. Die prominentesten Vertreter sind zur Zeit GaN und SiC.
Das sind die Lernziele für die Teilnehmer des Seminars »Neue Halbleitertechnologien – Chancen und Ausfallrisiken«:
Das Seminar wendet sich an folgende Zielgruppen: