Obwohl die Technologieentwicklung der Fertigung von CMOS-Bildsensoren von den Volumenanwendungen der Unterhaltungselektronik getrieben wird, lassen sich die neu entwickelten Prozesse erfolgreich für Bildsensoren in professionellen Anwendungen einsetzen. Dadurch wird vieles möglich: Die Pixelgröße wird verringert und die Leistungsfähigkeit von Global-Shutter-Pixeln verbessert; die Frame-Rate erhöht sich, das Rauschen wird reduziert und die Empfindlichkeit in längeren und kürzeren Wellenlängenbereichen verbessert. All das eröffnet der professionellen Bildverarbeitung neue Anwendungsfelder.
Der Autor:
Guy Meynants |
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ist einer der Gründer von Cmosis und ist dort heute als Vice President Research & Development tätig. Nach vier Jahren Forschungsarbeit bei Imec im Bereich CMOS-Bildsensoren gründete er die Firma FillFactory mit und entwickelte eine Reihe von Bildsensoren für Industrie und Raumfahrt. Er hält eine Vielzahl an Patenten im Bereich Bildsensoren und Low Power Analog Design und ist Autor zahlreichen Publikationen. |
guy.meynants@cmosis.com
Literatur:
[1] Lee, P. et al.: An Active Pixel Sensor Fabricated Using CMOS/CCD Process Technology. Proc. 1995 IEEE Workshop on CCDs and Advanced Image Sensors, Dana Point, CA, 20. – 22. April 2005. www.imagesensors.org
[2] Takahashi, H.: A 3.9 μm pixel pitch VGA format 10b digital image sensor with 1.5-transistor/pixel. Proc. ISSCC 2004, S. 108 – 516.
[3] Adkisson, J. et al.: Optimization of Cu Interconnect Layers for 2.7 μm Pixel Image Sensor Technology: Fabrication, Modeling, and Optical Results. Proc. 2005 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors, Karuizawa, JP, Juni 2005.
[4] Wuu, S. G.: A Manufacturable Back-Side Illumination Technology Using Bulk-Si Substrate for Advanced CMOS Image Sensors. Proc. 2009 International image Sensor workshop, Bergen, 2009, www.imagesensors.org
[5] Fontaine, R.: Trends in Consumer CMOS Image Sensor manufacturing.
[6] Wang, X. et al.: A 2.2M CMOS Image Sensor for High Speed Machine Vision Applications. Proc. SPIE vol. 7536, Januar 2010.