Produkt

Siliziumkarbid

SiC-MOSFETs vor Kurzschluss schützen

Im Vergleich zu IGBTs aus Silizium stellen äquivalente MOSFETs aus Siliziumkarbid höhere Anforderungen an den Kurzschlussschutz. Warum das so ist und welche verschiedenen Möglichkeiten es gibt, die Bauteile im Kurzschlussfall zu schützen, erklärt…

Treiber-ICs

Extrem schnelle GaN-Transistoren richtig steuern

Galliumnitrid-Transistoren schalten viel schneller und haben damit weniger Verluste als…

Batteriemanagement-System (BMS)

»Wir können es besser«

Ein Batteriemanagement-System übernimmt eine Reihe von Aufgaben beim Laden und Entladen…

Empower Semiconductor

Siliziumbasierte E-CAPs übertreffen MLCCs

Die Spannungsregler von Empower Semiconductor erreichen ihre Leistungsdichte nur, weil…

Produkte des Jahres 2021

Halbleiter und IP

Die Elektronik-Redaktion ruft zur 23. Leserwahl »Produkte des Jahres« auf. Hier stellen…

Infineon / Gate-Treiber

SOI-Technologie ermöglicht Levelshift von 1200 V

Mit dem Gate-Treiber 6ED2230 hat Infineon seine EiceDRIVER-Familie um ein Bauteil…

Powermanagement-ICs

Effizienter Lückenfüller aus Hannover

Zwischen Energy-Harvesting-Stromversorgungen und netzversorgten Wandlermodulen klafft eine…

Vierkanaliger SIMO-Power-Management-IC

Eine um 85 Prozent höhere Leistungsdichte

Der MAX77655 von Maxim Integrated Products bietet erstmalig vier…

Semiconductor industry 2020

Meeting the Challenges of the Future with Innovation

Trends such as energy efficiency and reliability are only going to increase in the future…

Halbleiterindustrie 2020

Mit Innovationen kommenden Herausforderungen begegnen

Trends wie Energieeffizienz und Zuverlässigkeit werden sich in der Zukunft verstärken –…