Aktuelle Übersicht Stromversorgung
29. November 2013, 18 Bilder
Silzium-MOSFETs:
Mit Einschaltwiderständen unter 1 mOhm.
Der Hersteller von Leistungshalbleitern, International Rectifier, bringt mit dem FastIRFETs eine Familie von 25-V-MOSFETs heraus. Die Silizium-MOSFETs bieten Einschaltwiderstände RDS(on) bis herunter zu 0,7 mOhm und eignen sich besonders für die Verwendung in synchronen Schaltreglern. Die Leistungshalbleiter sind für Ströme bis 100 A ausgelegt. Die Gate-Ladung QGD liegt bei 4,5 V bei allen Bausteinen der Familie im Bereich von 10 nC.
Die für die Ansteuerung mit 5 V optimierten Bausteine arbeiten nach Aussage des Herstellers mit jedem beliebigen Controller oder Treiber zusammen und bieten dadurch eine hohe Flexibilität für das Design. Die MOSFETS sind in PQFN-Gehäuse eingebaut, deren Grundfläche 5 x 6 mm² beträgt. In der gleichen Baureihe sind 40-A-MOSFETs in PQFN-Gehäusen mit den Abmessungen 3,3 mm x 3,3 mm erhältlich.
International Rectifier GmbH Tel. 06102 884-0 www.irf.com
Der Hersteller von Leistungshalbleitern, International Rectifier, bringt mit dem FastIRFETs eine Familie von 25-V-MOSFETs heraus. Die Silizium-MOSFETs bieten Einschaltwiderstände RDS(on) bis herunter zu 0,7 mOhm und eignen sich besonders für die Verwendung in synchronen Schaltreglern. Die Leistungshalbleiter sind für Ströme bis 100 A ausgelegt. Die Gate-Ladung QGD liegt bei 4,5 V bei allen Bausteinen der Familie im Bereich von 10 nC.
Die für die Ansteuerung mit 5 V optimierten Bausteine arbeiten nach Aussage des Herstellers mit jedem beliebigen Controller oder Treiber zusammen und bieten dadurch eine hohe Flexibilität für das Design. Die MOSFETS sind in PQFN-Gehäuse eingebaut, deren Grundfläche 5 x 6 mm² beträgt. In der gleichen Baureihe sind 40-A-MOSFETs in PQFN-Gehäusen mit den Abmessungen 3,3 mm x 3,3 mm erhältlich.
International Rectifier GmbH Tel. 06102 884-0 www.irf.com