Aktuelle Übersicht Stromversorgung
29. November 2013, 18 Bilder
Hohe Wirkungsgrade:
48-V-Netzteil mit HEMTs in GaN auf Si.
Der amerikanischen Halbleiterhersteller Transphorm stellt den Prototypen eines 48-V-Netzteils vor, das durch die Verwendung von 600-V-GaN-HEMTs in der vorgeschalteten Leistungsfaktorkorrekturstufe einen Wirkungsgrad von 99 % erreicht. Für die Spannungsregelung greift das Unternehmen auf die Variante eines LLC-Wandlers zurück, der einen Wirkungsgrad von 98,6 % erreicht. Als HEMT (High Electron Mobility Transistor) verwendet das Unternehmen den Typ TPH3006PS, der mit dem von Transphorm patentierten GaN-auf-Si-Verfahren "EZ GaN" hergestellt wird. Der in eine TO-220-Gehäuse eingebaute Transistor bietet ein RDS(on) von 150 mOhm und eine Speicherladung Qrr von 54 nC.
Transphorm, Inc. Tel. 001 805 456 1300 www.transphormusa.com
Der amerikanischen Halbleiterhersteller Transphorm stellt den Prototypen eines 48-V-Netzteils vor, das durch die Verwendung von 600-V-GaN-HEMTs in der vorgeschalteten Leistungsfaktorkorrekturstufe einen Wirkungsgrad von 99 % erreicht. Für die Spannungsregelung greift das Unternehmen auf die Variante eines LLC-Wandlers zurück, der einen Wirkungsgrad von 98,6 % erreicht. Als HEMT (High Electron Mobility Transistor) verwendet das Unternehmen den Typ TPH3006PS, der mit dem von Transphorm patentierten GaN-auf-Si-Verfahren "EZ GaN" hergestellt wird. Der in eine TO-220-Gehäuse eingebaute Transistor bietet ein RDS(on) von 150 mOhm und eine Speicherladung Qrr von 54 nC.
Transphorm, Inc. Tel. 001 805 456 1300 www.transphormusa.com