Aktuelle Übersicht Stromversorgung
29. November 2013, 18 Bilder
110-V- und 230-V-Netzteile
Einfacher Aufbau mit Festspannungs-ICs.
Mit einer neuen Serie von Spannungsregler-ICs ermöglicht Rohm Semiconductor den Aufbau von Netzteilen, die die Energy-Star-Verordnungen der Version 6.0 erfüllen. Die Chips sind in herkömmliche DIP7-Gehäuse eingebaut, die Leistungsklassen 5 W und 8 W sind auch als SMD-Ausführung im SOP8-Gehäuse verfügbar, das 47 % weniger Platz auf der Leiterplatte benötigt als das DIP7-Gehäuse. Zur Verbesserung des Wirkungsgrads nutzen die Bausteine der BM2xxx/F-Serie als Leistungsschalter Super Junction MOSFETs; diese weisen wegen der hohen Dotierung der p- und n-Schichten bei hoher Durchbruchspannung einen geringen Einschaltwiderstand auf. Der hier verwendete Super Junction MOSFET erreicht eine Durchbruchspannung von 650 V und einen Einschaltwiderstand RDS(on) von 4 Ohm. Wegen der geringen Gate-Kapazität lässt sich der SJ MOSFET auch bei höheren Frequenzen betreiben. Die Stand-by-Leistung für ein 25-W-Netzteil ist mit 20 mW am 110-V-Netz und bei 30 mA am 230-V-Netz angegeben. Die Bausteine unterbieten die Anforderungen der amerikanischen und europäischen Energy-Star-Verordnungen in der noch nicht in Kraft gesetzten Version 6.0. Mit einer Optimierung der externen Bauelemente ist nach Auskunft des Herstellers eine weitere Herabsetzung der Stand-by-Leistung möglich.
Rohm Semiconductor GmbH Tel. 02154 921-0 www.rohm.com/eu
Mit einer neuen Serie von Spannungsregler-ICs ermöglicht Rohm Semiconductor den Aufbau von Netzteilen, die die Energy-Star-Verordnungen der Version 6.0 erfüllen. Die Chips sind in herkömmliche DIP7-Gehäuse eingebaut, die Leistungsklassen 5 W und 8 W sind auch als SMD-Ausführung im SOP8-Gehäuse verfügbar, das 47 % weniger Platz auf der Leiterplatte benötigt als das DIP7-Gehäuse. Zur Verbesserung des Wirkungsgrads nutzen die Bausteine der BM2xxx/F-Serie als Leistungsschalter Super Junction MOSFETs; diese weisen wegen der hohen Dotierung der p- und n-Schichten bei hoher Durchbruchspannung einen geringen Einschaltwiderstand auf. Der hier verwendete Super Junction MOSFET erreicht eine Durchbruchspannung von 650 V und einen Einschaltwiderstand RDS(on) von 4 Ohm. Wegen der geringen Gate-Kapazität lässt sich der SJ MOSFET auch bei höheren Frequenzen betreiben. Die Stand-by-Leistung für ein 25-W-Netzteil ist mit 20 mW am 110-V-Netz und bei 30 mA am 230-V-Netz angegeben. Die Bausteine unterbieten die Anforderungen der amerikanischen und europäischen Energy-Star-Verordnungen in der noch nicht in Kraft gesetzten Version 6.0. Mit einer Optimierung der externen Bauelemente ist nach Auskunft des Herstellers eine weitere Herabsetzung der Stand-by-Leistung möglich.
Rohm Semiconductor GmbH Tel. 02154 921-0 www.rohm.com/eu